UNIST, 컴퓨터 시뮬레이션으로 그래핀 합성 단계 규명
펑 딩 교수팀, 중국 베이징대와 공동 연구…ACS Nano 게재
그래핀, 절연체 위에서 합성 속노 느려지는 결과 확인
UNIST(울산과학기술원) 신소재공학과 펑 딩 교수가 그래핀 구조체를 들고 있다. 2021.04.21. (사진=UNIST 제공) [email protected] *재판매 및 DB 금지
[울산=뉴시스]구미현 기자 = 국내 연구진이 '꿈의 나노 물질'로 불리며 초고속 반도체나 투명 전극을 활용한 휘는 디스플레이 제작 등에 사용되는 그래핀이 절연체 위에서 합성 속도가 느려지는 이유를 밝혀냈다.
UNIST(울산과학기술원)는 다차원 탄소재료 연구단 소속 신소재공학과 펑 딩(Feng Ding·중국) 특훈교수(IBS 다차원탄소재료연구단 그룹리더)팀이 전자소자 재료인 실리콘 산화물 같은 절연체 위에서 그래핀 합성 속도가 금속기판 보다 1만배 이상 느려지는 이유를 규명했다고 21일 밝혔다.
합성반응을 여러 단계로 쪼개 분석할 수 있는 첨단 컴퓨터 시뮬레이션 기법을 사용했다.
연구진에 따르면 절연체 기판을 쓸 때는 원료(전구체)가 그래핀 가장자리에 바로 달라붙는 방식으로 성장한다. 이 경우 수소가 같이 붙게 되는데 수소 제거에 많은 에너지가 소모돼 절연체 위에서 그래핀 성장이 느리다. 반면 금속 기판을 쓰면 원료가 금속 기판을 타고 빠르게 이동할 수 있어 그래핀 성장이 빠르다.
또 연구팀은 CH3(메틸 래디컬)이 가장 중요한 역할을 하는 원료라는 사실도 밝혔다. CH3은 그래핀에 탄소 공급할 뿐만 아니라 그래핀 가장자리의 수소를 제거하는 역할도 한다.
제1저자인 팅 청(Ting Cheng·중국) 연구원은 “이번 연구로 절연체 기판위에 그래핀을 합성할때는 금속기판에 합성할 때와 달리 기판 물질 종류 보다는 원료 종류가 더 중요하다는 것이 밝혀졌다”고 전했다.
평 딩 교수는 “에너지 소모가 가장 많은 반응 단계를 활성화 시키면 절연체 기판 위에서도 그래핀 성장을 촉진 시킬 수 있을 것”이라며 “이번 연구는 그 단서를 찾았다는 데 큰 의미가 있다”고 설명했다.
[울산=뉴시스] 구미현 기자 = 기판 재질별 그래핀 성장 모식도. *재판매 및 DB 금지
중국 베이징대학교 분자화학과 쫑판 류(Zhongfan Liu) 교수, 쯔롱 류(Zhirong Liu) 교수팀과 함께한 이번 연구 결과는 나노과학 분야 국제학술지인 ‘에이씨에스 나노’(ACS Nano)에 3월 22일자로 공개됐다. 연구수행은 기초과학연구원(IBS)의 지원을 받아 이뤄졌다.
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