삼성전자, 中시안에서 평택까지...낸드 생산능력·기술력 '양·질' 초격차

시안 낸드 팹 증설 이어 평택 투자까지 '초격차 의지

160단 이상 초고적층 7세대 V낸드 개발 속도 진척

美 인텔, 中 YMTC 등 낸드 플래시 적층기술 맹추격 속

생산능력·기술력 모두 드라이브 걸며 양·질에서 초격차

[서울=뉴시스]이재용 삼성전자 부회장이 18일 중국 산시성에 위치한 삼성전자 시안반도체 사업장을 찾아 생산 라인을 살펴보고 있다. (사진=삼성전자 제공) 2020.05.18. [email protected]

[서울=뉴시스] 김종민 기자 = 삼성전자가 중국 시안 사업장 증설에 이어 평택캠퍼스 2라인에 낸드플래시 생산라인을 구축하면서 생산 능력과 기술력 '양과 질'에서 메모리 초격차 전략을 이어간다.

삼성전자는 이처럼 코로나19 확산에도 중국 시안 낸드플래시 팹 증설을 차질없이 추진하고 있다. 여기에 이 부회장이 코로나19 위험 속에서도 현장을 직접 방문해 점검에 나서는 등 기술력과 생산능력 모두 '초격차'를 달성하기 위해 강한 의지를 보이고 있는 모습이다.

1일 업계에 따르면, 삼성전자는 AI, IoT 등 4차 산업혁명 도래와 5G 보급에 따른 중장기 낸드수요 확대에 대응하기 위해서 적극적인 투자로 미래 기회를 선점해 나가고 있다.

삼성전자는 5월 평택 2라인에 낸드플래시 생산을 위한 클린룸 공사에 착수했으며, 2021년 하반기 양산을 시작할 계획이다. 또 삼성전자는 유일한 해외 메모리 생산 기지인 시안 공장에서 팹 증설을 차질없이 추진하고 있다.

[서울=뉴시스]

낸드 시장의 경쟁이 갈수록 치열해지고 있는 가운데 삼성전자는 낸드플래시 기술 '초격차'를 확대해 나가겠다는 전략이다.

삼성전자는 지난해 8월 128단 낸드 양산을 시작했다. 데이터를 저장하는 낸드플래시는 적층 수가 많을수록 용량이 늘어 쓰임새가 커진다. 지금까지 상용화된 낸드플래시 메모리 최대 적층 수는 128단이다.

삼성전자는 160단 이상 초고적층 7세대 V낸드플래시 제품을 개발 중이며 개발 속도에 상당한 진척을 이룬 것으로 알려졌다. 김기남 삼성전자 부회장도 지난 3월 주주총회에서 메모리 기술격차 확대 방안으로 '7세대 V낸드' 개발을 추진하겠다고 밝힌 바 있다.

[서울=뉴시스] 삼성전자 평택캠퍼스 P2 라인 전경. 사진 삼성전자

최근 인텔이 고용량 낸드 시장에 본격적으로 진입하고 중국의 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)는 3분기부터 128단 낸드 제품을 생산할 계획으로 알려져 기존 우리나라의 삼성전자, SK하이닉스와의 치열한 경쟁이 예상된다.

인텔은 올해 144단 낸드를 개발해 연내 144단 낸드가 들어간 SSD를 선보이겠다는 계획을 밝히며 고용량 낸드 시장에 문을 두드렸다. 중국 YMTC는 지난해 말 5세대 64단 낸드플래시 양산에 돌입한데 이어, 지난달 6세대 128단 낸드플래시 개발을 완료하며 맹추격 중이다.

업계 관계자는 "SSD, 서버 등 수요 증가로 낸드 판매량이 늘고 있다"며 "삼성전자는 경쟁사와의 격차를 벌리기 위해 양과 질 모두 강화하는 중"이라고 말했다.


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