삼성전자, 자동차 메카 유럽서 파운드리 전략 공개

5나노 eMRAM 개발, BCD 공정 확대 등 전장 공략 가속화

2024년 14나노·2026년 8나노·2027년 5나노 eMRAM 개발

[서울=뉴시스] 삼성전자가 4일 삼성동 코엑스에서 개최한 '삼성 파운드리 SAFE 포럼'에 고객과 파트너 1100여명이 참석한 가운데 최시영 사장이 기조연설을 하고 있는 모습. (사진=삼성전자) 2023.07.04. [email protected]  *재판매 및 DB 금지

[서울=뉴시스] 동효정 기자 = 삼성전자가 글로벌 자동차 산업의 메카 유럽에서 전장 분야를 중심으로 파운드리를 미래 성장동력으로 삼겠다는 비전을 밝혔다.

삼성전자는 19일(현지시간) 독일 뮌헨에서 '삼성 파운드리 포럼 2023'을 개최하고, 최첨단 공정 로드맵과 전장(Automotive) 등 응용처별 파운드리 전략을 공개했다.

차량용 반도체 적극 공략…미래 성장동력으로

삼성전자는 이번 포럼에서 최첨단 2나노 공정부터 8인치 웨이퍼를 활용한 레거시 공정까지 다양한 맞춤형 솔루션을 선보였다. SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 파트너들은 부스 전시를 통해 최신 파운드리 기술 트렌드와 향후 발전 방향을 공유했다.

특히 차량용 반도체를 적극 공략한다는 방침이다. 글로벌 주요 완성차 업체들이 본격적으로 내연기관 자동차에서 전기차, 자율주행차로 생산을 전환하면서, 차량용 반도체 시장 규모의 증가세가 한층 더 가팔라질 것으로 예상하면서다.

최시영 사장 역시 자동차 분야에 파운드리 초미세공정을 적극 활용하겠다는 계획을 밝힌 바 있다.

최 사장은 "5나노, 4나노 등 가장 진보된 공정에서 지금까지 모바일 반도체 개발에 중점을 뒀지만 미래를 내다보고 다양한 사용자를 지원할 프로세서를 개발 중"이라며 "여기에는 자동차 사용자를 위한 5나노 프로세서와 고속·초저전력 애플리케이션(AP) 등이 모두 포함된다"고 언급했다.

이에 맞춰 삼성전자는 지난 9월 초 IAA 행사에 이어 이번 포럼에서도 유럽 고객과의 협력을 확대하며 전장 분야 핵심 파트너로서의 입지를 강화하고 있다.

최 사장은 "차량용 반도체 시장에 최적화된 공정을 적기에 개발해 자율주행 단계별 인공지능(AI) 반도체부터 전력반도체 등을 고객 요구에 맞춰 양산해 나갈 계획"이라며 "삼성전자만의 차별화된 파운드리 솔루션으로 전기차와 자율주행차 시대를 선도해 나갈 것"이라고 밝혔다.

5나노 eMRAM 개발, BCD 공정 확대 등 전장 솔루션 포트폴리오 확대

삼성전자는 최첨단 2나노 전장 솔루션 양산 준비를 2026년 완료하고 차세대 내장형 MRAM(eMRAM)과 8인치 BCD 공정 포트폴리오를 확대한다.

BCD 공정이란 Bipolar(아날로그 신호제어), CMOS(디지털 신호제어), DMOS(고전압 관리) 트랜지스터를 하나의 칩에 구현한 것으로, 주로 전력 반도체 생산에 활용된다.

삼성전자는 이번 포럼에서 업계 최초로 5나노 eMRAM 개발 계획을 밝히는 등 차세대 전장 파운드리 기술을 선도하겠다는 포부를 밝혔다. eMRAM은 빠른 읽기와 쓰기 속도를 기반으로 높은 온도에서도 안정적인 전장용 차세대 핵심 메모리 반도체다.

[서울=뉴시스]삼성전자가 27일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 개최한 '삼성 파운드리 포럼 2023'에서 삼성전자 파운드리사업부 최시영 사장이 기조연설을 하고 있다. (사진=삼성전자 제공) [email protected] *재판매 및 DB 금지

삼성전자는 2019년 업계 최초로 28나노가 적용하고 누설 전류를 줄이는 FD-SOI 공정 기반 eMRAM을 탑재한 제품을 양산한 바 있다. 현재 내년을 목표로 AEC-Q100 Grade 1에 맞춰 핀펫 공정 기반 14나노 eMRAM을 개발 중이다.

AEC-Q100이란 자동차 부품 협회에서 자동차 전자 부품에 대한 신뢰성 평가 절차 및 기준을 규정한 것으로 전 세계에서 통용되는 기준이다.

또 2026년 8나노, 2027년 5나노까지 eMRAM 포트폴리오를 확대할 계획이다. 8나노 eMRAM의 경우, 이전 14나노 대비 집적도 30%, 속도 33%가 증가할 것으로 기대된다.

삼성전자는 8인치 BCD 공정 포트폴리오도 강화한다. 삼성전자는 현재 양산 중인 130나노 전장 BCD 공정을 2025년 90나노까지 확대하는 것이 목표다.

또 전장에 적용되는 고전압을 기존 70볼트에서 120볼트로 높일 예정이며, 130나노 BCD 공정에 120볼트를 적용한 공정설계키트(PDK)를 2025년부 제공할 계획이다.

20개 파트너와 최첨단 패키지 협의체 구축

삼성전자는 SAFE 파트너, 메모리, 패키지 기판, 테스트 전문 기업 등 20개 파트너와 함께 최첨단 패키지 협의체 MDI 얼라이언스를 구축했다.

삼성전자는 최첨단 패키지 협의체를 주도하며 전장과 고성능 컴퓨팅(HPC) 등 응용처별 차별화된 2.5D, 3D 패키지 솔루션을 개발한다.

한편 삼성전자는 이번 독일과 미국(6월), 한국(7월) 외 일본에서도 '삼성 파운드리 포럼 2023'을 개최했다. 오프라인 행사에 참석하지 못한 글로벌 고객을 위해 내달 2일부터 올해 말까지 삼성전자 반도체 공식 홈페이지에 행사 내용을 공개한다.


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