교통대 학부생 조태영·류균석씨 논문, 전자공학 SCI 국제학술지에 게재

SCi급 국제학술지에 논문을 게재한 교통대 (왼쪽부터) 조태영·류균석씨. (사진=교통대 제공) *재판매 및 DB 금지

[충주=뉴시스] 이도근 기자 = 충북 충주 한국교통대 학부생이 발표한 논문이 SCI(Science Citation Index:과학기술논문색인)급 국제 학술지에 게재돼 눈길을 끈다.

교통대는 융합기술대학 전자공학과 4학년에 재학 중인 조태영·류균석씨가 SCI급 국제학술지 'Applied Sciences (IF=2.838)'에 각각 제1저자로 논문을 등재했다고 21일 밝혔다.

석박사 과정이 아닌 학부 재학생이 제1저자로 발표한 논문이 국제 SCI급 저널에 게재되는 것은 이례적이다.

조씨는 메모리 소자가 동작하면서 발생할 수 있는 현상 중 하나인 Natural Local Self Boosting(NLSB)를 시간에 따라 분석한 내용의 'Inhibited Channel Potential of 3D NAND Flash Memory String According to Transient Time' 논문을 게재했다.

류씨는 메모리 소자에 발생할 수 있는 현상 중 하나인 Down Coupling Phenomenon(DCP)로 인한 채널 전위 회복을 분석한 'Analysis of Channel Potential Recovery according to the Back Pattern in 3D NAND Flash Memory' 논문을 게재했다.

이번 연구는 한국연구재단 차세대지능형반도체기술개발(소자)사업 지원으로 진행됐다.

이들은 4학년부터 학부연구생으로 메모리 소자의 동작 때 발생하는 현상을 반도체 소자 시뮬레이션을 통해 연구했다.

조씨는 "저널에 논문을 게재 한다는 좋은 기회를 얻어 학부생으로서 값진 경험을 한 것 같다"고 말했다.

류씨는 "학부생으로서 경험하기 어려운 일을 해냈다고 생각한다. 앞으로 석사과정에서도 연구를 잘 할 수 있을 것이라는 자신감이 생겼다"고 소감을 밝혔다.


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