삼성전자 "내년 3나노 2세대…美테일러 4나노 양산"

[서울=뉴시스] 삼성전자 평택캠퍼스 전경. (사진=삼성전자 제공) 2022.09.07. [email protected]  *재판매 및 DB 금지

[서울=뉴시스] 이인준 기자 = 삼성전자가 3나노미터(㎚·10억분의 1m) 2세대 파운드리(반도체 위탁생산) 공정을 예정대로 2024년 양산하겠다고 밝혔다. 또 미국 제2 파운드리 공장에 4나노 생산라인 구축을 공식화했다.

삼성전자는 31일 '2022년 4분기 실적발표' 콘퍼런스콜(전화회의)을 통해 "당사는 세계 최초로 3나노 1세대 공정을 안정적인 수율로 양산하고 있다"면서 "3나노 2세대 파운드리 공정은 예정대로 2024년 양산할 것"이라고 밝혔다.

삼성전자는 3나노 공정에 적용된 차세대 트렌지스터 구조 GAA(게이트올어라운드) 기술과 관련해 "당사의 멀티 브릿지 채널(MBC) 펫(FET)은 4나노 기술인 핀펫(Fin-FET)보다 성능이 좋고 전력 소모가 적다. 특히 설계적 유연성이 장점"이라며 "다수의 모바일, HPC(고성능컴퓨팅) 고객들이 관심을 보이고 있다"고 설명했다.

이어 "2세대 공정은 1세대와 대비해 면적 성능, 전력 효율이 더욱 개선됐다"면서 "1세대 양산 경험을 기초로 빠르게 개발하고 있다"고 강조했다.

이와 함께 올해 말 완공, 오는 2024년 하반기 가동을 목표로 추진 중인 미국 텍사스주 테일러 공장과 관련한 운영 계획도 밝혔다.

삼성전자는 "미국 테일러 팹은 당초 계획대로 2024년 하반기에 4나노 양산을 할 예정"이라고 소개했다. 앞서 지난해 12월 파운드리 업계 1위 대만 TSMC는 오는 2024년 가동할 예정인 미국 애리조나 공장에 4나노 공정을 도입하겠다고 밝힌 바 있다. TSMC는 인근에 두 번째 공장을 짓고 3나노 칩도 생산할 계획이다.

삼성전자는 "국내외를 망라한 신규 생산 거점을 확보하는 것에 대해 다양한 조건과 가능성을 열어 놓고 여러 사항을 고려해서 검토해 나갈 예정"이라고 덧붙였다.


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