中, 레거시 이어 HBM까지 생산…韓과 기술 격차는?

CXMT, HBM 개발해 고객사 제공…中, HBM 시장 진입

中, 2026년 HBM2 개발 목표…韓과 10년 이상 격차

"中 기술 경계 필요…10년 이상 격차 유지해야"

[서울=뉴시스]중국 메모리 반도체 기업인 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 스마트폰 등 모바일 기기에 주로 사용하는 저전력(Low Power) D램인 'LPDDR5'를 개발하는 데 성공했다고 밝혔다. (사진=CXMT 홈페이지 캡쳐) [email protected] *재판매 및 DB 금지

[서울=뉴시스]이지용 기자 = 중국이 고대역폭메모리(HBM) 생산을 시작하며 레거시(구식) 반도체에 이어 첨단 인공지능(AI) 반도체 시장까지 영향력을 확대하고 있다. 아직 첨단 메모리 분야에서는 한국 기업들과 격차가 크지만 대규모 자본으로 예상보다 추격 속도가 빠를 수 있어 경계가 필요하다는 지적이다.

16일 로이터 등 외신에 따르면 중국의 메모리 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)는 반도체 패키징 기업 통푸마이크로와 HBM 샘플을 개발해 최근 고객사에 제공했다.

또 다른 중국 반도체 기업인 우한신신도 한 달에 3000개까지 12인치 HBM 웨이퍼를 생산할 수 있는 공장을 건설 중이다.

중국 반도체 기업들도 HBM 개발을 위한 장비 확보를 위해 한국과 일본의 장비 기업들과 정기적인 회의를 열고 있는 것으로 알려졌다.

CXMT와 우한신신 모두 중국 정부의 반도체 개발 자본의 지원 받아 성장한 기업들이다. 중국은 AI 산업 성장에 맞춰 자체적으로 AI향 첨단 반도체 수급을 해야 해 이 같이 HBM 개발을 본격화하는 것으로 풀이된다. 또 미국 정부의 대중 반도체 제재가 강화되고 있어 자구책도 필요하다.

이미 중국은 레거시 반도체 시장을 장악해가고 있다. 중국의 레거시 반도체 글로벌 점유율은 지난해 29%에서 2027년 33%로 늘어날 예정이다. 반도체 공장 개수도 77곳에 더해 18곳이 추가로 가동된다.

대만 언론 자유시보는 신미국안보센터 연구원의 분석을 인용해 "중국이 보조금 정책을 통해 현재 약 30%인 레거시 점유율을 크게 높일 것"이라고 전했다. 또 TSMC를 포함한 선단 공정도 중국의 영향을 받을 것으로 분석했다.

중국이 대규모 자본과 생산시설 등을 앞세워 레거시 시장을 공략하는 만큼 유사한 패턴으로 첨단 반도체 시장까지 장악할 가능성을 배제할 수 없는 것이다.

[서울=뉴시스]삼성전자 서초사옥(위)과 SK하이닉스 이천본사(아래). 2022.09.21. [email protected] *재판매 및 DB 금지

다만, 삼성전자와 SK하이닉스 등 한국 기업들과 중국 기업들의 HBM 기술 격차는 10년가량 차이 나고 있는 것으로 평가 받는다.

중국의 화웨이는 2026년까지 2세대 제품인 'HBM2'를 다른 자국 기업들과 생산하는 것을 계획 중이다. 기술적 한계로 HBM 초기 모델 개발부터 시작하는 것이다. 화이트오크캐피털 투자이사 노리 치우는 "중국 기업들은 HBM에서 경쟁 기업보다 10년 정도 뒤처진다"고 전했다.

삼성전자와 SK하이닉스는 지난 2016년 이미 HBM2 개발에 성공했다. 양사는 5세대인 'HBM3E' 양산 단계에 진입했으며, 2025년~2026년 6세대 'HBM4'를 양산할 것으로 보인다.

중국 기업들은 현재 HBM2 개발에 집중하고 있어 3세대 'HBM2E' 개발까지는 수 년이 더 걸릴 수 있다. 한국 기업들에게는 당장 큰 위협이 되지 않는 셈이다.

하지만 중국이 그 동안 스마트폰과 디스플레이 등과 같이 대규모 자본과 탄탄한 내수 시장을 바탕으로 시장 전망보다 빠르게 기술력을 높였던 만큼 중국의 HBM 시장 진입을 경계해야 한다는 목소리도 나오고 있다.

업계 관계자는 "AI 시장이 급격하게 커지는데다 미국과의 무역전쟁도 격화하면서 중국도 HBM 시장을 공격적으로 공략할 것"이라며 "한국 기업은 이를 주시하며 최소 10년 이상의 격차를 유지해야 한다"고 전했다.


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