SK하이닉스, 용인 1기 팹 투자 확정…9.4조 투자(종합)

용인 1기 팹과 부대시설 건설

"산업 경쟁력 높이고 경제 기여"

분기 현금배당 결의…1주당 300원

[서울=뉴시스]SK하이닉스가 26일 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹(Fab)과 업무 시설을 건설하는 데 9조4115억원을 투자하기로 결정했다고 밝혔다. (사진=SK하이닉스 제공) [email protected]
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[서울=뉴시스]이인준 기자 = SK하이닉스가 26일 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹(Fab)과 업무 시설을 건설하는 데 9조4115억원을 투자하기로 결정했다.

SK하이닉스는 이날 이사회 결의를 거쳐 이 같은 투자 결정을 받았다.

회사 측은 "기존에 정해진 일정대로 용인 클러스터에 들어설 첫 팹을 내년 3월 착공해 2027년 5월에 준공할 계획"이며, "회사의 미래 성장 기반을 다지고, 급증하고 있는 AI 메모리 반도체 수요에 적기 대응하기 위해 팹 건설에 만전을 기하겠다"고 설명했다.

경기도 용인 원삼면 일대 415만㎡ 규모 부지에 조성되는 용인 클러스터는 현재 부지 정지(整地) 및 인프라 구축 작업이 한창이다.

SK하이닉스는 이곳에 차세대 반도체를 생산할 최첨단 팹 4개를 짓고, 국내외 50여개 소부장 기업들과 함께 반도체 협력단지를 구축하기로 했다.

회사는 첫 팹 건설 이후 나머지 3개 팹도 순차적으로 완공해 용인 클러스터를 '글로벌 AI 반도체 생산 거점'으로 성장시킨다는 계획이다.

이번에 승인된 투자액에는 1기 팹과 함께 부대시설과 업무지원동, 복지시설 등 클러스터 초기 운영에 필요한 각종 건설 비용이 포함됐다. 투자 기간은 팹 건설을 준비하기 위한 설계 기간과 2028년 하반기 준공 예정인 업무지원동 등을 고려해 2024년 8월부터 2028년 말까지로 산정했다.

[용인=뉴시스] 김종택 기자 = 23일 경기도 용인시 원삼면 일대에서 반도체 클러스터 조성사업이 진행되고 있다. 윤석열 대통령은 이날 반도체 산업 지원 방안을 주제로 제2차 경제이슈점검회의에서 '금융,인프라, R&D(연구·개발)는 물론, 중소·중견기업 지원까지 아우르는 26조 원 규모의 반도체 산업 종합지원 프로그램을 만들었다'며 '반도체 클러스터 조성에 차질이 없도록 전기,용수,도로 등 인프라를 정부와 공공부문이 책임지고 빠른 속도로 조성해 나가겠다.'고 말했다. 2024.05.23. [email protected]

회사는 용인 첫 번째 팹에서 대표적인 AI 메모리인 HBM(고대역폭메모리)을 비롯한 차세대 D램을 생산할 예정이며, 완공 시점 시장 수요에 맞춰 다른 제품 생산에도 팹을 활용할 수 있도록 준비하기로 했다.

이와 함께 SK하이닉스는 국내 소부장 중소기업들의 기술 개발과 실증, 평가를 돕기 위한 '미니팹'을 1기 팹 내부에 구축할 계획이다. 회사는 미니팹을 통해 실제 생산 현장과 유사한 환경을 소부장 협력사들에게 제공해 이들이 자체 기술의 완성도를 높일 수 있도록 최대한 지원하기로 했다.

김영식 SK하이닉스 부사장(제조기술담당)은 "용인 클러스터는 SK하이닉스의 중장기 성장 기반이자 협력사들과 함께 만들어 가는 혁신과 상생의 장(場)이 될 것"이라며 "대한민국 반도체 기술력과 생태계 경쟁력을 획기적으로 높여 국가경제 활성화에 기여하고자 한다"고 말했다.

SK하이닉스는 이날 분기 배당으로 보통주 1주당 300원의 현금배당을 실시한다고도 공시했다. 시가배당률은 보통주 0.1%로, 배당금 총액은 2065억8529만3500원이다. 배당 기준일은 지난 6월 30일이며, 배당금은 이사회 결의일인 이날로부터 20일 내 지급될 예정이다.


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