설비투자가 경쟁력…삼성·SK하이닉스 '통 큰' 투자 지속

[서울=뉴시스] 이인준 기자 = 국내 반도체 업계가 올해도 세계 시장 선점을 위한 대규모 투자에 나설 전망이다.

10일 업계에 따르면 삼성전자의 지난해 반도체 시설투자액은 43조6000억원이다.

메모리는 극자외선 노광장비(EUV) 기반 15나노 D램, V6 낸드 등 첨단공정 수요 대응을 위한 평택·시안 증설과 공정 전환, 평택 P3 라인 인프라 투자 등을 중심으로 시설투자가 진행됐다. EUV를 포함한 차세대 기술 적용을 선제적으로 확대함에 따라 메모리 투자가 전년 대비 증가했다. 파운드리는 평택 EUV 5나노 첨단공정 증설 등을 중심으로 투자가 진행됐다.

특히 올해 경기 평택시의 메모리반도체 공장 3라인(P3)이 준공될 예정이다. 평택 3공장은 세계 최대 반도체 공장이 될 것이라는 예상이다. 이곳에 3나노미터(㎚·10억분의 1m) 파운드리, 첨단 메모리 양산 라인이 갖춰질 예정이다.

또 상반기 내 약 20조원을 들여 미국 제2파운드리 반도체 공장 착공을 진행할 예정이어서 투자는 지속확대될 전망이다. 이와 함께 삼성전자는 2030년 시스템 반도체 1위를 목표로 EUV 장비 확보에 속도를 내고 있다.

유안타증권은 삼성전자 반도체 사업부의 향후 3년간 매년 설비투자(CAPEX) 규모가 40조~45조원에 달할 것으로 내다봤다.

아직 계획이 구체화되지 않았지만 평택 P4~P6 라인 증설도 앞으로 진행될 전망이다. 삼성전자는 P4~P6 건설에 대비해 이미 평택시에 오는 2025년까지 하루 25만 톤의 공업용수를 확보해달라는 요청도 해놓은 것으로 알려졌다. 앞서 건설된 평택 2공장의 투자 규모가 30조원인 것으로 알려져, 4공장은 30조원 이상 투입될 것이라는 전망이다.

SK하이닉스도 그동안 보수적인 투자 기조를 유지하되 첨단 공정 전환에 속도를 내겠다는 입장이다.

SK하이닉스는 지난해 13조4000억원의 시설투자를 진행했다. SK하이닉스는 지난 2018년 17조380억원을 투자 한 이래 2019년 12조7470억원, 2020년 9조8900억원으로 감소했으나 지난해를 기점으로 다시 투자가 확대되는 양상이다.

지난해 EUV 등 핵심 장비의 납품 시기 지연 추세가 나타나자 올해 투자분의 일부를 지난해 하반기 앞당겨 집행하고, 주요 장비 회사와의 협력을 이어가고 있다.

올해도 용인 반도체 신규공장 부지매입과 미국 연구개발(R&D) 센터 건립 등에서 투자를 늘려갈 계획이다. 키움증권에 따르면 SK하이닉스의 올해 설비투자는 전년대비 47% 늘어난 17조원으로 전망된다.

SK하이닉스가 약 120조원 이상 투자해 짓는 '용인 반도체 클러스터(산업단지)'도 연내 착공될지 주목된다. SK하이닉스는 2026년 초 가동을 목표로 산단 조성을 추진 중이다. 다만 주민 설득과 인허가가 지연돼 당초 계획보다 착공이 1년 이상 늦어지고 있는 것으로 알려졌다.

노종원 SK하이닉스 사업총괄 사장은 최근 실적발표 컨퍼런스콜에서 "현재 계획으로는 가능한 빠른 시점에 용인 부지를 확보해서 새 팹(공장)을 지어야 하는 상황"이라며 "2026년 초까지 새 팹 가동을 계획하고 있다"고 말했다.

한편 국제반도체장비재료협회(SEMI)는 지난해 발간한 '팹 전망 보고서'를 통해 내년 글로벌 반도체 전(前)공정 팹 투자액이 1000억 달러(약 117조 원)에 근접할 것으로 내다봤다.

SEMI는 한국이 내년 300억 달러로 세계 전체 반도체 투자액의 약 30%를 차지할 것이라고 점쳤다. TSMC 생산 거점이 있는 대만이 260억 달러, 중국이 170억 달러로 선두인 한국의 뒤를 이을 것으로 예상했다.


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