동국대 연구팀, 3D 수직형 강유전체 커패시터 개발

기존 2D 구조보다 고집적·저전력 작동

연구팀 "100만 번 사이클에도 안정적…데이터는 10년 이상 유지"

(왼쪽부터) 동국대 전자전기공학과 김성준 교수, 임은진 석사, 박용진 석사. (사진=동국대 제공) *재판매 및 DB 금지

[서울=뉴시스]윤신영 인턴 기자 = 동국대 연구팀이 대규모 데이터를 빠른 속도로 처리할 수 있는 수직적층 강유전체 메모리소자를 개발했다.

동국대학교는 전자전기공학과 김성준 교수팀이 3D 수직형 강유전체 커패시터를 개발해 국제학술지 'Nano Letters'에 온라인 게재됐다고 20일 밝혔다.

연구팀은 삼성전자의 GAA(Gate-All-Around) 구조 트랜지스터에서 영감받아 강유전체 커패시터에 수직형 구조를 적용했다고 설명했다.

수직형 강유전체 커패시터는 기존의 2D 평면 구조보다 메모리 직접도가 높고 강유전체 특유의 높은 신뢰성과 저전력 동작 기능을 보였다.

연구팀에 따르면 이번 커패시터는 100만 번 이상의 사이클 동안 안정적으로 작동할 수 있으며 보유 데이터를 10년 이상 유지할 수 있다.

연구를 이끈 김성준 교수는 "강유전체의 모든 면을 전극으로 완전히 감싸는 새로운 방식을 제시한 것"이라며 "향후 저전력 및 고집적이 요구되는 인공지능 반도체 시스템 구현에 활용될 수 있을 것"이라고 기대감을 밝혔다.

한편 이번 연구는 한국연구재단의 중견연구사업 및 차세대지능형반도체기술개발사업의 지원을 받아 수행됐다.


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