TSMC, 최신 장비로 '1나노 경쟁' 준비…투자 줄인 삼성은?

TSMC, 차세대 노광장비 '하이 NA EUV' 도입

삼성, 파운드리 투자 축소…경쟁 차질 우려

"장비 투자 축소될 지 지켜봐야"

[서울=뉴시스]인텔 파운드리는 미국 오리건주 힐스보로 R&D 사이트에서 업계 최초 상업용 ‘고개구율(High Numerical Aperture, High NA) 극자외선(Extreme Ultraviolet, EUV)’ 노광장비(리소그래피 스캐너) 조립을 완료했다고 19일 밝혔다. (사진=인텔 제공) [email protected] *재판매 및 DB 금지

[서울=뉴시스]이지용 기자 = 세계 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 업체 TSMC가 차세대 노광장비 '하이 NA EUV'를 도입하는 등 '1나노대' 초미세공정을 준비하기 시작했다. 내년 2나노 공정 양산을 앞두고 있는 가운데 차세대 장비 도입에 서두르면서 1나노 경쟁에서도 우위를 점하겠다는 전략이다.

TSMC는 1나노대 진입을 1년 앞당기는 등 공격적인 모습을 보이고 있다.

삼성전자도 내년 초 하이 NA EUV와 각종 양산 장비를 도입해 1나노대 진입에 나설 전망이다. 하지만 최근 파운드리 사업부가 적자 등으로 투자 축소를 공식화해, 대규모 자금이 필요한 초미세공정의 개발 경쟁에서 밀릴 수 있다는 우려가 나온다.

6일 업계에 따르면 TSMC는 올해 말 네덜란드 장비 업체 ASML로부터 차세대 노광장비 '하이(High) 뉴메리컬애퍼처(NA) EUV'를 인도 받아 이를 대만 신주과학단지의 TSMC 생산공장 연구개발센터에 설치할 것으로 알려졌다.

이 장비는 파운드리 초미세공정의 한계를 극복하고 반도체의 성능을 높이기 위해 개발됐는데 1나노대 공정에 필수적이다.

TSMC는 1나노대 공정에 이 하이 NA EUV를 활용할 전망이다. TSMC는 원래 내년에 2나노, 2027년 1.4나노를 계획했지만 이 사이에 1.6나노를 추가하며 1나노대 진입을 1년 앞당길 계획이다. 이에 하이 NA EUV 도입 시점도 내년에서 올해 말로 옮겼다.

인텔 또한 2027년에는 14A(1.4나노) 공정 양산을 시작할 예정이라고 밝혔다. 파운드리 3사 가운데 가장 빠른 시점이다. 인텔은 올해 초 하이 NA EUV를 도입했다고 알렸다.

이 같이 파운드리 경쟁사들은 1나노대 경쟁을 미리 준비하고 있는 상태다.
 
1나노대 공정은 파운드리 최정점 기술로 2나노·3나노 등 기존 공정들에 비해 기술 장벽이 매우 높다. 그런 만큼 이들 업체는 1나노대 양산 시점이 아직 남았음에도 연구개발·생산 테스트 등에서 시행착오를 겪고 양산을 안정화하려는 전략이다.

삼성전자는 파운드리 3사 가운데 가장 늦은 시점인 내년 초 하이 NA EUV를 도입할 것으로 알려졌다. 삼성전자는 2027년 1.4나노 양산을 목표로 하고 있다.

2027년 경기도 화성에 ASML과 연구센터를 조성, 하이 NA EUV 등 노광장비의 효율을 높이는 연구를 수행하며 1나노 기술력을 높일 예정이다.

하지만 최근 파운드리 실적 부진 및 재무 악화가 이어지자, 삼성전자는 파운드리 투자 축소에 돌입하겠다는 방침을 전했다. 이에 1나노 양산에 필요한 고가의 장비 구입까지 늦춰지며 1나노 경쟁 준비가 늦춰질 가능성이 제기된다.

하이 NA EUV는 1대당 가격이 3억5000만 달러(4900억원)에 달한다. 또 도입 초기에는 수율(양품비율) 확보가 어려워 양산까지 오랜 기간이 걸린다.

삼성전자는 3나노 공정에서 TSMC에 빅테크 고객사들을 대부분 빼앗긴 만큼 2나노에 이어 1나노에서도 시장을 선점해야 할 필요성이 크다.

업계 관계자는 "삼성 파운드리는 아직 성장 동력을 갖추지 못해 메모리에서 번 돈을 파운드리에 투자할 수 밖에 없는 상황"이라며 "장비 확보·연구개발 등의 투자가 축소되지 않고 지속될 지는 지켜봐야 할 것"이라고 전했다.

[서울=뉴시스]삼성전자 평택 캠퍼스 반도체 공장 내부.(사진=삼성전자 제공) [email protected] *재판매 및 DB 금지

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