SK하이닉스, "1년 주기 세대교체"…HBM4E 조기 개발 시사

내년 6세대 HBM4 이어 2026년 7세대 공개 전망

[서울=뉴시스]SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 5세대 제품 HBM3E를 세계 최초로 대규모 양산해 이달 말부터 제품 공급을 시작한다. (사진 = 업체 제공) 2024.03.19. [email protected]  *재판매 및 DB 금지

[서울=뉴시스]이인준 기자 = SK하이닉스가 현존 최고속 D램인 고대역폭메모리(HBM)의 차차세대(7세대) 'HBM4E' 개발을 이르면 2026년 완료할 계획이다. HBM 개발 경쟁에 가속도가 붙는 모양새다.

김귀욱 SK하이닉스 HBM첨단 기술팀장은 13일 서울 그랜드워커힐 호텔에서 열린 '국제메모리워크숍(IMW 2024)'에서 "HBM 1세대가 개발된 후 2년 단위로 세대를 거듭해 발전했지만, HBM3E부터는 1년 단위로 세대가 변하고 있다"며 이 같은 차세대 HBM 개발 방향을 시사했다.

SK하이닉스가 HBM4E 개발 로드맵에 대해 언급한 것은 이번이 처음이다.

HBM은 D램 여러 개를 수직으로 쌓고 연결하는, AI 반도체용 메모리로 현재 5세대 HBM3E가 개발을 마치고 올해 상반기 엔비디아 등 고객사에 납품 중이다.

하지만 내년 HBM4, 2026년 HBM4E 등순으로 세대 교체가 더욱더 가속화될 수 있음을 강조한 것으로 해석된다. 회사 측은 "개발 로드맵에 따른 계획일 뿐 확정된 바 없다"고 설명했다.

높은 공정 난도를 어떻게 해결할지는 변수다. 반도체 업계에선 HBM4는 내년 12단, 2026년 HBM4 16단 제품이 나올 것으로 예상한다. HBM은 단수가 높을수록 공정 난도는 높고, 수율 관리가 어렵다.

HBM4E는 20단 수준까지 높아질 수도 있다. SK하이닉스는 HBM4에선 주력 공정인 MR-MUF는 물론 하이브리드 본딩도 연구 중이다.


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