삼성·SK, '10나노 D램' 나란히 올해 양산?…"고객 확보 치열"

삼성에 이어 SK도 올해 안에 양산하나

전력 효율 등 고객사 확보에 영향

[서울=뉴시스]최진혁 삼성전자 미주 메모리 연구소장이 26일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 '멤콘 2024'에서 CXL을 소개하고 있다. 2024.03.27. (사진=삼성전자 제공) *재판매 및 DB 금지

[서울=뉴시스]이지용 기자 = 삼성전자와 SK하이닉스가 차세대 D램인 '6세대 10나노 D램'을 동시에 양산하며 올해 치열한 고객 확보 경쟁에 나설 전망이다. 양산 시기를 비롯해 제품의 전력 효율, 극자외선(EUV) 노광장비의 적용 범위 등이 관건이다.

9일 업계에 따르면 삼성전자는 올해 안으로 6세대 10나노미터(㎚·10억분의 1m)급 D램 제품을 양산할 계획이다. 이 제품의 구체적인 양산 시기를 밝힌 것은 삼성전자가 처음이다.

6세대 10나노 D램은 기존 D램 제품보다 선폭이 작아 방대한 인공지능(AI) 서버용 데이터를 실시간으로 빠르게 처리할 것으로 기대된다. 최근 빅테크들이 AI 서비스를 위한 서버 증설에 나서면서 이 제품 수요도 커질 전망이다.

경계현 삼성전자 사장은 지난달 정기 주주총회에서 "D1c(6세대 10나노급) D램, 9세대 V낸드 같은 신공정을 최고의 경쟁력으로 개발해 업계를 선도할 것"이라고 밝혔다.

삼성전자는 이 제품에 대한 개발을 최대한 앞당기며 기술력을 검증하고 경쟁사에 앞서 고객사 확보에 나설 것으로 보인다.

SK하이닉스도 6세대 10나노 D램 개발에 한창이다. SK하이닉스는 현재 공식적인 양산 시기를 밝히지 않았지만, 삼성의 양산시기를 의식해 늦어도 올해 안에 개발을 끝내고 양산에 나설 가능성이 적지 않다.

업계 최초로 6세대 10나노 D램 양산에 성공하면 고객사들의 기술 신뢰도가 높아지는데다 고객사와 판매 협상 등에 우선적으로 나설 수 있어 유리하다. 그런 만큼 SK하이닉스도 삼성이 못 박은 시점에 앞서 양산에 나서기 위해 개발에 서두를 것으로 보인다.

[서울=뉴시스]삼성전자가 업계 최초 12나노급 32Gb(기가 비트) DDR5 D램을 개발했다. 32Gb는 D램 단일 칩 기준으로 역대 최대 용량이다. (사진=삼성전자 제공) [email protected] *재판매 및 DB 금지

양산 시기에 이어 전력 효율도 6세대 10나노 D램 시장을 선점할 기준으로 꼽힌다. 양사의 제품은 당초 정해진 규격에 따라 제조되고 있어, 전력 소비를 줄일 수 있는 전력 효율성이 고객사들의 선택에 적지 않은 영향을 줄 것으로 보인다.

그런 만큼 EUV가 적용되는 레이어의 개수도 관건이 될 전망이다. EUV는 반도체 웨이퍼에 미세한 회로를 넣는 최첨단 장비로 이를 활용하면 반도체의 생산성과 전력 효율이 높아진다. D램은 통상 수십개의 레이어(층)을 쌓아 만든다.

현재 삼성전자와 SK하이닉스의 주력 D램인 4세대·5세대 10나노급 D램은 4~5개의 레이어를 EUV로 작업한다. EUV 장비를 얼마나 많은 레이어에 활용하는 지가 성능 향상에 영향을 미칠 수 있는 셈이다.

업계 관계자는 "선단 공정 경쟁이 치열한 상황인 만큼 고객사의 수요 여부에 앞서 누가 먼저 기술력을 입증하느냐가 시장 선점에 큰 영향을 미칠 것"이라고 전했다.


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