SK하닉 "HBM 고단 적층 자신…차세대 패키징 적기 제공"

HBM 리더십 1등 공신 '어드밴스드 MR-MUF' 고도화

하이브리드 본딩 등 차세대 패키징 신기술 확보도 주력

[서울=뉴시스]이규제 SK하이닉스 PKG제품개발 담당 부사장은  5일 "HBM 시장을 선점할 수 있었던 가장 큰 원동력은 고객이 원하는 시기에 제품을 제공했기 때문"이며 "어드밴스드 MR-MUF를 지속적으로 고도화하는 한편, 하이브리드 본딩 등 새로운 기술들을 확보해 나갈 계획"이라고 강조했다. (사진=SK하이닉스 뉴스룸 제공) [email protected] *재판매 및 DB 금지

[서울=뉴시스]이인준 기자 = SK하이닉스는 HBM(고대역폭메모리) 고단 적층을 통해 차세대 패키징 기술 개발에서 앞서가겠다는 포부를 밝혔다.

5일 SK하이닉스 뉴스룸에 따르면 이규제 PKG제품개발 담당 부사장은 "HBM 시장을 선점할 수 있었던 가장 큰 원동력은 고객이 원하는 시기에 제품을 제공했기 때문"이며 "어드밴스드 MR-MUF를 지속적으로 고도화하는 한편, 하이브리드 본딩 등 새로운 기술들을 확보해 나갈 계획"이라고 강조했다.

HBM은 여러 개의 D램을 쌓고 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 제품이다.

이 메모리는 D램을 쌓을수록 한 번에 주고받을 수 있는 데이터 양(대역폭)과 저장용량의 크기가 커지며 공간은 물론 전력의 효율성이 높아지는 특성이 있다. 반면 층수가 높아지면 발열 관리, 휨 현상 등 내구성, 설계 복잡성 등의 다양한 문제가 생겨 이를 해결하는 것이 업계의 과제다.

이 부사장은 이 같은 상황에서 SK하이닉스가 지난해 4세대 12단 HBM3와 5세대 HBM3E 개발에 연이어 성공하며 독보적인 HBM 1등 리더십을 지키는 데 기여한 1등 공신으로 패키지 기술인 '어드밴스드 MR-MUF'를 꼽았다.

이 기술은 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 공간 사이에 액체 형태의 보호재를 주입하고, 굳히는 것을 말한다. SK하이닉스는 경쟁 업체의 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식(NCF) 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적이라고 강조한다.

SK하이닉스는 내년 하반기 양산 예정인 차세대 HBM인 'HBM4'도 회사가 강점을 가진 어드밴스드 MR-MUF와 차세대 '하이브리드 본딩(Hybrid Bonding)' 방식을 모두 검토 중이다.

차세대 'HBM4'는 12단과 16단으로 적층 수가 기존 8단과 12단보다 높아져 고단 적층의 문제가 한층 더 심화한다.

이 부사장은 "얼마 전 MR-MUF가 고단 적층은 구현하기 어렵다는 소문이 업계에 돌았던 적이 있지만, 우리는 MR-MUF가 고단 적층에도 최적의 기술이라는 사실을 고객과 소통하는 데 힘을 쏟았다"고 반박했다.

이어 "지속적으로 늘어나는 커스텀(Custom·맞춤형) 제품 요구에 적기 대응하기 위해 다양한 차세대 패키징 기술을 개발하는 것도 중요하다"고 덧붙였다.

그 중에서도 가장 기대를 모으는 하이브리드 본딩은 칩을 적층할 때, 칩과 칩 사이에 범프(반도체 칩과 기판을 연결하는 구 형태의 돌기)를 형성하지 않고 직접 접합시키는 기술이다. 국제 표준 규격에 따라 제품 두께는 유지하면서도 성능과 용량을 높이기 위한 칩 고단 적층의 방편으로 여겨진다.

하지만 위 아래 칩간 간격은 더욱 더 좁아지면서 발열 관리가 어려울 수 있다. 다양한 소재, 기술 개발을 통해 이 같은 문제를 해결하는 것이 선행돼야 한다는 게 업계의 설명이다.


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