내년 3월 HBM 메모리 생산기지 착공…산업장관 "반도체 지원"

SK하이닉스 용인 반도체 산단 방문

완공 시 세계 최대 규모 3층 팹 전

[세종=뉴시스]이승주 기자 = 오는 2046년까지 반도체 메가 클러스터 조성에 120조원 이상 투입되는 가운데, 내년 3월 고대역폭 메모리(HBM) 등 최첨단 메모리 반도체 생산기지 생산 팹(Fab) 1기가 착공에 돌입한다. 

산업통상자원부는 21일 안덕근 장관이 반도체 메가 클러스터 조성방안의 핵심지역인 SK하이닉스 용인 반도체 일반산단을 방문했다고 밝혔다.

해당 클러스터는 2019년 조성계획 발표 후 인허가 문제로 개발이 지연됐지만, 지난 2022년 11월 당정과 지방자치단체, 기업 사이 상생협약이 체결되면서 본궤도에 올랐다.

1기 팹 부지는 약 35%의 공정률을 보이며 현재부지 조성공사는 차질 없이 진행 중이다. 1기가 완공되면 세계 최대 규모의 3층 Fab이 될 전망이다.

이날 기업간담회에서 안 장관은 인프라를 적기에 구축하고 초격차 기술을 확보한다고 발표했다. 수출 확대를 지원하고 반도체 소부장(소재·부품·장비) 생태계 강화도 약속했다.

산업부는 클러스터 내 인프라 구축을 지원하기 위해 지난 2월 전력공급 전담반 태스크포스(TF)를 발족했다. 이달까지 반도체 등 첨단특화단지 지원 전담부서를 설치하고 '첨단전략산업 특화단지 종합 지원방안'을 마련할 계획이다.

인공지능(AI) 반도체와 고대역폭 메모리(HBM) 수요가 증가하는 상황에서 반도체 기술력을 확보하고 수출 진작을 위해 AI 반도체 시장 선점을 위한 종합전략을 조속히 마련할 방침이다. 반도체 장비 경쟁력 강화 방안도 올해 상반기에 마련한다.

안 장관은 "반도체 초격차는 속도에 달린 만큼 우리 기업이 클러스터 속도전에서 뒤처지지 않도록 전 부처가 합심해 대응하겠다"며 "올해 기업들이 반도체 1200억 달러 수출 목표를 달성할 수 있도록 첨단 반도체 수출 확대를 적극 지원하겠다"고 말했다.


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