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SK하닉, 美행사서 HBM3E 12단·엔비디아 제품 함께 전시

등록 2024.10.17 15:42:15

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OCP 글로벌 서밋 참가…AI칩 공개

"HBM3E 12단, 세계 최고 수준"

[서울=뉴시스]SK하이닉스가 OCP 서밋에서 전시한 HBM3E와 엔비디아의 H200/GB200. (사진 = SK하이닉스 뉴스룸) 2024.10.17. photo@newsis.com *재판매 및 DB 금지

[서울=뉴시스]SK하이닉스가 OCP 서밋에서 전시한 HBM3E와 엔비디아의 H200/GB200. (사진 = SK하이닉스 뉴스룸) 2024.10.17. [email protected]  *재판매 및 DB 금지

[서울=뉴시스]이현주 기자 = SK하이닉스가 미국에서 열린 글로벌 기술 행사에서 5세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM3E 12단과 엔비디아 제품을 함께 전시해 주목을 받았다.

SK하이닉스는 지난 15일부터 미국 캘리포니아주 새너제이(San Jose)에서 개막한 'OCP 글로벌 서밋'에 참가해 미래 반도체 시장 리더십을 이어갈 AI 메모리 반도체 기술과 제품을 선보였다고 17일 밝혔다.

올해는 ▲5세대 HBM 최신 제품이자 현존 최고 성능을 구현하는 HBM3E를 비롯해 ▲CXL(컴퓨트익스프레스링크) 기반 연산 기능을 통합한 차세대 메모리 솔루션 ▲10나노급 6세대(1c) 공정 기반 DDR5 RDIMM ▲고용량 저장장치 eSSD 등 다양한 AI 메모리를 전시하며 눈길을 끌었다.

이중 HBM3E 12단은 SK하이닉스가 지난 9월 세계 최초로 양산하기 시작한 현존 최고 성능과 용량을 갖춘 제품으로 엔비디아 신형 'H200 텐서 코어 GPU' 및 'GB200 그레이스 블랙웰 슈퍼칩'과 함께 전시됐다.

HBM3E 12단은 D램 칩을 기존보다 40% 얇게 만들어 기존 8단 제품과 동일한 두께로 12단 적층에 성공해 최대 36GB 용량을 구현했으며 데이터 처리 속도는 9.6Gbps로 높였다. 또 SK하이닉스 핵심 기술인 어드밴스드 MR-MUF 공정을 적용해 발열 성능을 10% 향상시키며 속도, 용량, 안정성 등 모든 부문에서 세계 최고 수준이라는 평가를 받고 있다.

또한 CXL 기반 연산 기능을 통합한 차세대 메모리 솔루션 ▲CMM-Ax ▲CMM-DDR5/HMSDK ▲나이아가라 2.0과 함께 ▲CSD(데이터 직접 연산 저장장치)를 선보였다.

CMM-Ax는 기존 CMS 2.0의 명칭을 변경한 것으로 이번 전시에서 새로운 이름과 함께 소개됐다. 고용량 메모리를 확장할 수 있는 CXL의 장점에 머신러닝과 데이터 필터링 연산 기능을 함께 제공하며 차세대 서버 플랫폼에 탑재돼 시스템의 성능과 에너지 효율 향상에 기여할 수 있다.

SK하이닉스는 이번 OCP 서밋에서 총 7번의 세션 발표와 패널 참여를 통해 회사의 AI 메모리 기술력과 비전을 공유했다. 특히 AI 시대의 개화와 함께 주목받고 있는 HBM과 CXL을 중심으로 이야기를 풀어내며 혁신의 경계를 넓히기 위해 반도체 업계의 협력을 제안했다.


◎공감언론 뉴시스 [email protected]

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