검찰, '반도체 기술 유출' 삼성전자 전 연구원 집유에 항소

외국 반도체 업체 이직 목적 기술 유출 혐의

[서울=뉴시스] 최진석 기자 = 서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 안동건)는 25일 산업기술의 유출방지 및 보호에 관한 법률 위반 등 혐의로 기소된 삼성전자 전 수석연구원 이모(52)씨에게 징역 3년에 집행유예 4년, 벌금 2000만원을 선고한 1심 판결에 항소했다고 밝혔다.  사진은 서울중앙지검의 모습. (사진=뉴시스 DB). [email protected]

[서울=뉴시스] 이종희 기자 = 검찰이 반도체 핵심기술을 국외 경쟁사에 유출하려다 적발된 전직 삼성전자 연구원에게 징역형 집행유예를 선고한 1심 결과에 불복해 항소했다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 안동건)는 25일 산업기술의 유출방지 및 보호에 관한 법률 위반 등 혐의로 기소된 삼성전자 전 수석연구원 이모(52)씨에게 징역 3년에 집행유예 4년, 벌금 2000만원을 선고한 1심 판결에 항소했다고 밝혔다.

검찰은 "삼성전자가 수년간 연구하고 개발한 D램 반도체 적층조립기술 등 국가핵심기술과 D램 반도체 사업화 전략 자료 등 각종 영업비밀 100여건을 유출한 사건으로 사안이 매우 중대하다"고 항소 이유를 밝혔다.

이어 "피고인의 범행으로 인해 회사 내부에서 보호받던 기술들이 외부 유출돼 경쟁사에서 이를 취득하거나 사용할 수 있는 상태에 놓이게 된 점 등을 고려했다"고 설명했다.

이씨는 지난 2022년 3~6월 외국 소재 반도체 관련 업체에 이직할 목적으로 D램 반도체 적층조립기술 등 국가핵심기술과 영업비밀을 개인 이메일로 전송해 유출한 혐의로 재판에 넘겨졌다.

이씨가 유출한 자료에는 'D램 반도체 적층조립기술' 등 국가핵심기술 13건과 'D램 반도체 사업화 전략 자료' 등 각종 영업비밀 100여 건이 포함돼 있었던 것으로 조사됐다.

검찰은 지난해 3월 국가정보원 이첩자료를 토대로 수사를 벌여왔으며 같은해 8월 이씨를 기소했다.


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