"HBM 다음은 CXL"…삼성전자, 차세대 메모리 기술 상표 출원

삼성전자 CMM-D·CMM-H 등 4종 상표 등록

AI 시대를 위한 차세대 메모리 상용화에 나서

[서울=뉴시스] 삼성전자가 업계 최초로 CXL 2.0을 지원하는 128GB CXL D램을 개발했다. (사진=삼성전자) 2023.05.12. [email protected] *재판매 및 DB 금지

[서울=뉴시스]이인준 기자 = 삼성전자가 HBM(고대역폭메모리)에 이어 차세대 D램 메모리 기술로 주목 받는 'CXL(컴퓨트익스프레스링크)' 개발에 속도를 높인다.

13일 업계에 따르면 삼성전자는 이달 4일 CXL 관련 총 4종의 상표를 출원했다. 출원 이름은 ▲삼성(Samsung) CMM-D ▲삼성 CMM-DC ▲삼성 CMM-H ▲삼성 CMM-HC 등이다.

CMM은 'CXL Memory Module(CXL 메모리 모듈)'의 약자로, 새로운 메모리 규격이다. CXL은 고성능 서버 시스템에서 CPU(중앙처리장치)와 함께 사용되는 가속기, D램, 저장장치 등을 보다 효율적으로 활용하기 위해 개발됐다.

현존 메모리 반도체 기술로는 방대한 분량의 데이터를 처리하고 싶어도, 처리 용량과 대역폭을 무한정 늘리지 못한다. 메모리를 더 많이 넣으면 장치의 복잡성과 개발 비용이 증가하기 때문이다. 또 메모리 용량을 늘려도 CPU와 메모리 간 데이터가 이동, 처리되는 과정에서 지연 현상, 이른바 '병목'이 발생하기 때문에 효율이 떨어진다.

이에 메모리 업계는 새로운 메모리 인터페이스 기술 개발이 한창이다. 최근 인공지능(AI)용 반도체로 주목 받고 있는 HBM의 경우 D램을 여러 개 쌓아 한 번에 전송할 수 있는 용량을 크게 늘리는 방향으로 기술이 발전한 사례다.

CXL은 기존 시스템의 메인 D램을 그대로 사용하지만, 확장성을 높여 메모리의 용량을 늘리는 기술이다. 고용량 CXL D램을 사용하면 서버 한 대당 메모리 용량을 8~10배 이상 늘릴 수 있다.

삼성전자가 상표를 출원한 것은 CXL의 양산이 임박한 것이라는 해석이 나온다. 삼성전자는 지난해 5월 세계 최초로 CXL 1.1 기반 CXL D램을 개발한데 이어, 올해 5월 CXL 2.0을 지원하는 128GB D램을 개발하는데 성공했다.

삼성전자는 'CXL 2.0 D램'을 연내 양산할 계획이며, 차세대 컴퓨팅 시장 수요에 따라 다양한 용량의 제품도 적기에 선보여 CXL 생태계 확장을 가속화한다.

이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장)은 지난 10월 삼성전자 반도체 뉴스룸에 올린 기고문에서 "CMM 등의 새로운 인터페이스를 적극 활용해, 메모리 대역폭과 용량을 원하는 만큼 확장하는 미래를 꿈꾸고 있다"고 말했다.

이어 "메모리 병목현상 개선을 위해 데이터 연산 기능을 메모리 칩 내부 혹은 모듈 레벨에서 구현하는 기술을 HBM, CMM 등의 제품에 적용하여, 데이터 연산 능력을 획기적으로 개선하는 동시에 전력 효율을 높이는 데 집중할 것"이라고 덧붙였다.


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