"ASML 푸케 CEO, TSMC 방문"…'EUV 기술 경쟁' 뜨겁다

"ASML CEO, TSMC 방문해 EUV 논의"

양사간 EUV 기술 협력 더 강화될 듯

삼성, 차세대 EUV 도입 등 경쟁 대비

[서울=뉴시스]크리스토프 푸케 ASML 최고경영자. (사진 = 업체 제공) 2024.11.14. [email protected]  *재판매 및 DB 금지

[서울=뉴시스]이지용 기자 = 네덜란드 반도체 장비업체인 ASML 최고경영자(CEO)가 대만 파운드리 반도체업체인 TSMC를 방문해 최첨단 장비 협력  방안을 논의할 예정이다.

TSMC는 초미세공정에 필수인 ASML의 극자외선(EUV) 노광장비 '하이(High) 뉴메리컬애퍼처(NA) EUV' 도입을 가속화해 2나노 이하 공정의 우위를 지킬 방침이다.

삼성전자도 이르면 올초 이 설비를 도입하고, EUV 기술 강화를 위한 전담 조직을 꾸려 EUV 기술 경쟁에 나선다.

7일 업계에 따르면 크리스토퍼 푸케 ASML CEO와 핵심 경영진이 조만간 대만의 TSMC 본사를 방문할 것으로 알려졌다.

이들은 웨이저자 TSMC 회장 등 TSMC 경영진과 EUV 장비 조달 계획 및 EUV 기술 로드맵 등을 논의할 전망이다. 또 TSMC에 최신 EUV 장비인 하이 NA EUV 주문도 요구할 것으로 보인다.

하이 NA EUV는 대당 가격이 3억5000만 달러(4900억원)에 달하지만 2나노대 이하 공정에는 필수적이다.

최근 중국에 대한 EUV 수출이 금지된 데다 삼성전자와 인텔의 사업 부진으로, 양사 간 EUV 협력이 더욱 강화될 수 있다는 분석이다. TSMC가 ASML의 독보적인 고객사로 떠오를 수 있는 것이다.

이에 TSMC는 1나노와 2나노 등 초미세공정 개발 및 양산에서 지금보다 속도를 더 높일 것으로 보인다. EUV 장비의 대수와 성능에 따라 반도체 수율(양품비율) 개선 및 공정 최적화, 생산성 향상이 좌우될 수 있다.

TSMC는 지난해 말 하이 NA EUV 장비를 인도 받아 이를 대만 신주과학단지의 TSMC 생산공장 연구개발센터에 설치한 것으로 알려졌다.

TSMC는 1나노대 공정에 이 장비를 적극 활용할 계획이다.

TSMC는 원래 내년에 2나노, 2027년 1.4나노를 계획했지만 이 사이에 1.6나노를 추가해 1나노대 진입을 1년 앞당기기로 했다. 하이 NA EUV 도입 시점도 더 빨라진다.

삼성전자는 파운드리 부진으로 비용 절감이 필요한 상태이지만 EUV 기술 경쟁에는 힘을 쏟는 모습이다.

지금부터 EUV 장비 도입 및 기술 개발을 해놔야 향후 2나노대 이하 공정을 제대로 가동할 수 있어서다. 장비 도입 초기에는 수율 확보가 어려워 양산까지 오랜 시간이 걸릴 수 있다.

삼성전자는 올 초 하이 NA EUV 장비를 도입해 1나노대 진입에 나설 것으로 알려졌다. 삼성전자는 2027년 1.4나노 양산을 목표로 하고 있다.

또 ASML과 협력해 경기 화성에 연구센터를 조성하고, 하이 NA EUV 등 노광장비의 효율을 높이는 연구도 수행할 방침이다.

다만, 파운드리 실적 개선이 늦어지면 EUV 장비 도입 및 기술 개발을 위한 여력이 위축될 수 있는 점은 변수다.

업계 관계자는 "TSMC는 ASML과 협력으로 차세대 장비 확보에서 유리한 고지에 오를 수 있다"며 "삼성은 장비 확보·연구개발 투자를 더 이상 줄일 수 없는 상황"이라고 전했다.

[서울=뉴시스]26일 업계에 따르면 네덜란드 반도체 장비 회사인 ASML은 첫 하이 NA EUV 장비를 인텔에 공급했다고 밝혔다. 앞서 팻 겔싱어 인텔 최고경영자(CEO)는 하이 NA EUV 최초 납품처가 인텔이라고 밝힌 적 있다. (사진=ASML 사회관계망서비스) [email protected] *재판매 및 DB 금지

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